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半導體分立器件靜態測試系統的簡單介紹半導體分立器件靜態測試系統集多種測量和分析功能一體,可以精準測量功率半導體器件的靜態參數,具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模半導體分立器件靜態測試系統的詳細信息半導體分立器件特性參數測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應；通常半導體分立器件特性參數測試需要幾臺儀器完成，過程既復雜又耗時，還占用過多測試臺的空間。實施特性參數分析的最佳工具之一是半導體分立器件靜態測試系統，普賽斯分立器件靜態測試系統集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態參數，電壓可高達10KV,電流可高達6KA。該系統可測量不同封裝類型的功率器件的靜態參數，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，pA級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態參數測試系統采用模塊化設計，方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。產品特點 高電壓、大電流 具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(最大可擴展至10kV) 具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯) 高精度測量 nA級漏電流, μΩ級導通電阻 0.1%精度測量 模塊化配置 可根據實際測試需要靈活配置多種測量單元系統預留升級空間,后期可添加或升級測量單元 測試效率高 內置專用開關矩陣,根據測試項目自動切換電路與測量單元 支持國標全指標的一鍵測試 擴展性好 支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具 測試項目 目前，武漢普賽斯儀表有限公司的產品已經覆蓋了10pA-6000A、300mV-10KV的電壓電流范圍，并在多個領域展現出絕對優勢。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導體的電源及測試需求方面，我司在8000V、1000A以上量程及測試性能均處于絕對優勢地位。此外，在大功率激光器測試、PD、APD、SPAD、SIPM晶圓測試及老化電源市場，普賽斯儀表的產品也能夠滿足絕大多數應用場景的需求。 以上是半導體分立器件靜態測試系統的詳細信息，如果您對半導體分立器件靜態測試系統的價格、廠家、型號、圖片有任何疑問，請聯系我們獲取半導體分立器件靜態測試系統的最新信息 |
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