功率半導體測試設備IGBT|SiC靜態(tài)測試機的簡單介紹
集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、 BJT、IGBT，以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性
功率半導體測試設備IGBT|SiC靜態(tài)測試機的詳細信息
功率半導體測試設備IGBT|SiC測試機簡介
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、 BJT、IGBT，以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA級漏電流測量能力等特點。支持高壓模式下功率器件結電容測試，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。 普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，配置有多種測量單元模塊，模塊化的設計測試方法靈活，能夠極大方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。
系統(tǒng)組成 普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，主要包括測試主機、測試夾具、工控機、上位機軟件等構成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機，內置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結合專用上位機測試軟件，可根據(jù)測試項目需要，設置不同的電壓、電流等參數(shù)，以滿足不同測試需求。測試數(shù)據(jù)可保存與導出，并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外，測試主機可與探針臺搭配使用，實現(xiàn)晶圓級芯片測試；也可與熱流儀、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。 測試主機內部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，蕞30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至pA級漏電流；集電極-發(fā)射極，蕞大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；蕞高支持3500V電壓輸出，蕞高擴展到12kV，且自帶漏電流測量功能。系統(tǒng)標配C-V測試功能，支持Ciss/Coss/Crss參數(shù)及曲線測試，頻率默認1MHz，可擴展至10MHz
系統(tǒng)特點 高電壓：支持高達3.5KV高電壓測試（蕞大擴展至12kV）；
大電流：支持高達6KA大電流測試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級導通電阻、nA級漏電流測試；
模塊化設計：內部采用模塊化配置，可添加或升級測量單元；
測試效率高：可自動切換、一鍵測試；
溫度范圍廣：支持常溫、高溫測試；
兼容多種封裝：根據(jù)測試需求可定制夾具；
系統(tǒng)參數(shù) | 項目 | 參數(shù) | | 集電極-發(fā)射極 | 蕞大電壓 | 3500V(可拓展至12KV) | | 最大電流 | 1000A(可拓展至6000A) | | 準確度 | ±0.1% | | 大電壓上升沿 | 典型值5ms | | 大電流上升沿 | 典型值15μs | | 大電流脈寬 | 50μs~500μs | | 漏電流測試量程 | 1nA~100mA | | 柵極-發(fā)射極 | 蕞大電壓 | 300V | | 蕞大電流 | 1A(直流)/10A(脈沖) | | 準確度 | ±0.05% | | 最小電壓分辨率 | 30μV | | 最小電流分辨率 | 10pA | | 電容測試 | 典型精度 | ±0.5% | | 頻率范圍 | 10Hz~1MHz | | 電容值范圍 | 0.01pF~9.9999F | | 溫控 | 范圍 | 25℃~200℃ | | 準確度 | ±2℃ |
測試項目
二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、 正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線 三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線 Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES柵極內阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容、Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導gfs、輸出特性曲線、 轉移特性曲線、C-V特性曲線 光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容CT、輸出電容CCE、 電流傳輸比CTR、隔離電容CIO
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