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微電子所在石墨烯晶體管物理模型及其電路應(yīng)用研究中獲進展

作者： 2015年12月15日來源：瀏覽量：

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近日，中國科學(xué)院微電子研究所在石墨烯晶體管物理模型及其電路應(yīng)用研究方面取得進展。　　微電子所微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室在中國科學(xué)院、國家自然科學(xué)基金委和科技部的支持下，長期致力于分子電子學(xué)基本問

近日，中國科學(xué)院微電子研究所在石墨烯晶體管物理模型及其電路應(yīng)用研究方面取得進展。

　　微電子所微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室在中國科學(xué)院、國家自然科學(xué)基金委和科技部的支持下，長期致力于分子電子學(xué)基本問題的研究，基于半經(jīng)典的玻爾茲曼傳輸理論和熱激發(fā)傳輸理論，在國際上首次提出了針對石墨烯晶體管的連續(xù)物理模型。該模型涵蓋了長程和短程散射機制，可以準(zhǔn)確描述器件的溫度特性，并與實驗數(shù)據(jù)保持較高的吻合度。該模型可通過VA編程嵌入商業(yè)化的CAD軟件中，用于準(zhǔn)確描述器件連續(xù)的交流和直流特性，使電路級預(yù)測和射頻電路設(shè)計預(yù)測成為可能。相關(guān)研究被收錄于IEDM., Washington, DC，December 7-9, 2015。

基于表面勢適用于石墨烯晶體管的物理模型及其在電路中的應(yīng)用

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