AIN靶材射頻磁控濺射制備AIN薄膜及性質研究

作者： 2013年08月28日來源：瀏覽量：

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nl一V族半導體氮化物(GaN、AIN、BN、InN)在光學、電學和半導體領域具有很大應用潛能。氮化鋁(AIN)具有許多突出的物理化學性能，如寬的直接帶隙(5.9~6.2ev)，大的擊穿場強(10kV/m)，高的熱導率3。2w/(cm.K)，

nl一V族半導體氮化物(GaN、AIN、BN、InN)在光學、電學和半導體領域具有很大應用潛能。氮化鋁(AIN)具有許多突出的物理化學性能，如寬的直接帶隙(5.9~6.2ev)，大的擊穿場強 (10kV/m)，高的熱導率3。2w/(cm.K)，良好的化學穩定性，高表面聲波速度，高熔點，低的熱膨脹系數等。這些性質使它成為微電子學和光學領域內光電器件的絕緣層和緩沖層的最佳材料。

在目前的111一v族半導體氮化物材料研究中，制備高質量AIN薄膜是人們關注的重要問題之一各國學者利用不同的方法合成具有一定擇優取向的AIN薄膜，例如，化學氣相沉積法 (CvD)，分子束外延法(MBE)，激光燒蝕與沉積法，氣相沉積法等，并取得了一些重要的進展。以上方法得到了具有一定應用前景的薄膜，但制備工藝復雜，所需襯底溫度高，有的襯底溫度甚至達到 1800OC。與以上方法比較而言，射頻磁控濺射法是一種大面積、低成本的薄膜制備技術。它具有沉積溫度低、可控性強、薄膜結構和表面比較均勻等特點而被廣泛應用。

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