光刻技術(shù)是集成電路制造產(chǎn)業(yè)的核心，決定著集成電路的元件特征尺寸。伴隨半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)摩爾定律延續(xù)，極紫外光刻被公認(rèn)為是最具潛力的下一代光刻技術(shù)。6月21日，“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”國家科技重大專項(02專項)實施管理辦公室組織專家在中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所召開了“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”項目驗收會。評審專家組充分肯定了項目取得的一系列成果，一致同意項目通過驗收，認(rèn)為該項目的順利實施將我國極紫外光刻技術(shù)研發(fā)向前推進(jìn)了重要一步。
  “極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”國家科技重大專項過驗　　　　極紫外(Extreme Ultraviolet，EUV)光刻是一種采用波長13.5nm極紫外光為工作波長的投影光刻技術(shù)，是傳統(tǒng)光刻技術(shù)向更短波長的合理延伸。作為下一代光刻技術(shù)，被行業(yè)賦予拯救摩爾定律的使命。極紫外光刻光學(xué)技術(shù)代表了當(dāng)前應(yīng)用光學(xué)發(fā)展最高水平，作為前瞻性EUV光刻關(guān)鍵技術(shù)研究，項目指標(biāo)要求高，技術(shù)難度大、瓶頸多，創(chuàng)新性高，同時國外技術(shù)封鎖嚴(yán)重。　　　　長春光機(jī)所自上世紀(jì)九十年代起專注于EUV/X射線成像技術(shù)研究，著重開展了EUV光源、超光滑拋光技術(shù)、EUV多層膜及相關(guān)EUV成像技術(shù)研究，形成了極紫外光學(xué)的應(yīng)用技術(shù)基礎(chǔ)。2002年，研制國內(nèi)第一套EUV光刻原理裝置，實現(xiàn)了EUV光刻的原理性貫通。2008年國家“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”科技重大專項將EUV光刻技術(shù)列為“32-22nm裝備技術(shù)前瞻性研究”重要攻關(guān)任務(wù)。長春光機(jī)所作為牽頭單位承擔(dān)起了“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”項目研究工作，成員包括中科院光電技術(shù)研究所、中科院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所、中科院微電子研究所、北京理工大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、華中科技大學(xué)。　　　　項目研究團(tuán)隊歷經(jīng)八年的潛心鉆研，突破了制約我國極紫外光刻發(fā)展的超高精度非球面加工與檢測、極紫外多層膜、投影物鏡系統(tǒng)集成測試等核心單元技術(shù)，成功研制了波像差優(yōu)于0.75 nm RMS 的兩鏡EUV 光刻物鏡系統(tǒng)，構(gòu)建了EUV 光刻曝光裝置，國內(nèi)首次獲得EUV 投影光刻32 nm 線寬的光刻膠曝光圖形。建立了較為完善的曝光光學(xué)系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)平臺，圓滿完成國家重大專項部署的研究內(nèi)容與任務(wù)目標(biāo)，實現(xiàn)EUV 光學(xué)成像技術(shù)跨越，顯著提升了我國極紫外光刻核心光學(xué)技術(shù)水平。同時，項目的實施形成了一支穩(wěn)定的研究團(tuán)隊，為我國能夠在下一代光刻技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)可持續(xù)發(fā)展奠定堅實的技術(shù)與人才基礎(chǔ)。　　　　驗收會上，長春光機(jī)所所長賈平誠摯地感謝了與會專家及各合作單位對項目的大力支持。賈平指出從時機(jī)及技術(shù)難度方面考慮，EUV項目的布局正處于窗口期，希望國家給予持續(xù)穩(wěn)定的支持。鼓勵項目參研單位進(jìn)一步發(fā)揮EUV學(xué)科優(yōu)勢，鼓足勇氣并肩奮斗，在后續(xù)支持下取得更好的成果。　　　　02專項總體組技術(shù)總師、中科院微電子所所長葉甜春做總結(jié)發(fā)言。葉甜春強(qiáng)調(diào)，在國際上EUV光刻大生產(chǎn)基地已經(jīng)建立的形勢下，我國EUV光刻研究要繼續(xù)堅持下去，面向未來產(chǎn)業(yè)工程化需求，著力點要放在必須掌握的核心技術(shù)和有可能取得創(chuàng)新的突破點。此外，葉甜春評價光刻機(jī)隊伍是承擔(dān)最核心、最高端、最艱巨任務(wù)的隊伍，也是專項團(tuán)隊中最有戰(zhàn)斗力、最能抗壓、最值得信任的主力部隊。鼓勵項目團(tuán)隊肩負(fù)重大任務(wù)的責(zé)任與使命感，繼續(xù)堅持勇攀高峰。　　　　02專項光刻機(jī)工程指揮部總指揮、前科技部副部長曹健林到會并致辭。作為國內(nèi)最熟悉EUV光刻的領(lǐng)域?qū)＜遥芙×謱ξ覈鳨UV光刻技術(shù)能力的提升感到欣喜，他認(rèn)為中國已初步具備光刻技術(shù)的研發(fā)能力，并向著產(chǎn)業(yè)化目標(biāo)前進(jìn)，30年前的“中國光刻夢”正在逐步變?yōu)楝F(xiàn)實，通過我國光刻技術(shù)研發(fā)能力的建設(shè)初步樹立了堅持“中國光刻夢”的信心。　　　　編輯點評　　　　在長春光機(jī)所等參研單位的共同努力下，歷經(jīng)八年的戮力攻堅，圓滿地完成了預(yù)定的研究內(nèi)容與攻關(guān)任務(wù)，突破了現(xiàn)階段制約我國極紫外光刻發(fā)展的核心光學(xué)技術(shù)，初步建立了適應(yīng)于極紫外光刻曝光光學(xué)系統(tǒng)研制的加工、檢測、鍍膜和系統(tǒng)集成平臺，為我國光刻技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展奠定了堅實的基礎(chǔ)。