近日，中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所微電子專用設(shè)備研發(fā)團(tuán)隊(duì)研制成功波長254nm的實(shí)用深紫外光刻機(jī)（Mask aligner），光刻分辨力達(dá)到500nm。

　　Mask aligner因使用方便、效率高、成本低，一直是使用面最廣、使用數(shù)量最多的一種光刻設(shè)備。在現(xiàn)有的微納加工工藝中，光刻所采用的波段是決定光刻分辨力的重要因素之一。長期以來，國產(chǎn)Mask aligner均采用紫外波段（350nm至450nm），分辨力只能做到1μm以上。而對(duì)于200nm至1μm的微納器件復(fù)制，只能采用進(jìn)口紫外投影光刻機(jī)，200nm以下分辨力則只能采用進(jìn)口深紫外投影光刻機(jī)。光電所該型設(shè)備的成功研制，填補(bǔ)了國內(nèi)商用化深紫外光刻機(jī)的空白，可低成本解決500nm以上器件的高效復(fù)制，具有很好的社會(huì)經(jīng)濟(jì)效益。

　　光電所微電子專用設(shè)備研發(fā)團(tuán)隊(duì)積極響應(yīng)客戶需求，大膽創(chuàng)新，成功解決了低成本深紫外光源、深紫外高均勻性勻光技術(shù)、新型深紫外介質(zhì)膜鍍膜技術(shù)以及非球面準(zhǔn)直技術(shù)等諸多難點(diǎn)。該型設(shè)備僅需通過更換濾光模塊，便可實(shí)現(xiàn)紫外、中紫外波段、深紫外波段的相互切換。同時(shí)，該型設(shè)備以光電所URE-2000系列紫外光刻機(jī)為基臺(tái)（已經(jīng)銷售550臺(tái)，其中出口30多臺(tái)），配有高精度對(duì)準(zhǔn)模塊、真空曝光模式、雙面曝光模式、納米壓印模式、接近式模式、數(shù)字設(shè)定曝光間隙等諸多功能供用戶選擇或定制，能滿足不同光刻工藝需求。該設(shè)備自動(dòng)化程度高、操作十分方便、外形美觀。該型設(shè)備的成功研制，是光電所光刻機(jī)團(tuán)隊(duì)將光刻工藝需求與設(shè)備研發(fā)緊密結(jié)合的產(chǎn)物，市場(chǎng)前景十分廣闊。

　　光電所研發(fā)團(tuán)隊(duì)還積極與潛在用戶單位進(jìn)行需求溝通和工藝探索，利用中紫外波段（峰值波長310nm）在光敏玻璃（FOTURANII）上完成了高深寬比結(jié)構(gòu)的制備直接光刻，設(shè)備已經(jīng)銷售數(shù)臺(tái)，并與德國肖特（SCHOTT）公司達(dá)成合作協(xié)議。

(a)設(shè)備外觀圖；(b)設(shè)備輸出光譜實(shí)測(cè)曲線