《表面化學分析-二次離子質譜-硅中硼的深度剖析方法》意見征求
作者： 2020年04月24日 來源：互聯網 瀏覽量：
字號：T | T
硼是半導體硅材料中的一種重要P型雜質元素，其在硅中濃度分布直接影響到硅材料及器件的性能，而二次離子質譜分析具有高靈敏度和較好的深度分辨本領，是檢測硅中硼濃度隨深度分布的有效手段。基于二次離子質譜的優良
硼是半導體硅材料中的一種重要P型雜質元素，其在硅中濃度分布直接影響到硅材料及器件的性能，而二次離子質譜分析具有高靈敏度和較好的深度分辨本領，是檢測硅中硼濃度隨深度分布的有效手段。基于二次離子質譜的優良檢測性能，ISO 17560-2014《表面化學分析-二次離子質譜-硅中硼深度剖析方法》早已發布。為了與國際接軌并促進國內相關技術的提升，促使我國二次離子質譜定量分析技術規范化，全國微束分析技術委員會表面分析分技術委員會提出將該國際標準轉化為國家標準。
在中國電子科技集團公司第四十六研究所起草工作組對標準進行討論和完善后，《表面化學分析-二次離子質譜-硅中硼的深度剖析方法》已于近日編制完成，并正面向社會征求意見。
據悉，該標準是依據GB/T 1.1-2009《標準化工作導則 第1部分：標準的結構和編寫》和GB/T 20000.2-2009《標準化工作指南 第2部分：采用國際標準》等進行編制的，引用了GB/T 20176-2006《表面化學分析-二次離子質譜-二次離子質譜用均勻摻雜物測定硅中硼的原子濃度》、GB/T22461-2008《表面化學分析-詞匯》，規定了用扇形磁場或四極桿式二次離子質譜儀對硅中硼進行深度剖析的方法，以及用觸針式輪廓儀或光學干涉儀深度定標的方法。
閱讀標準征求意見稿后可知，標準中規定的方法原理是用氧或銫離子束掃描樣品表面，將在離子束掃描范圍內一定窗口區域濺射出的硼和硅二次離子引出，對其進行質量分析和檢測，將監測的信號強度作為濺射時間的函數。使用觸針式輪廓儀或光學干涉儀，測量出離子束濺射形成坑的深度，以此標定深度。而實驗需要的儀器有二次離子質譜儀、觸針式輪廓儀和光學干涉儀。值得注意的是，實驗過程中，在樣品即將引入SIMS儀器前，應該用高純壓縮氣體吹去樣品表面的塵埃，待樣品引入分析室后，直到真空度恢復到廠商或當地成文的步驟推薦的正常值時，分析才可以開始。
按照本標準測試，可得到硼在硅中濃度隨深度分布直接、準確的定量測試結果，不但可以用于檢驗晶片質量，還可以有效的監控外延、離子注入、擴散、退火等器件工藝，這對于半導體領域科研生產有著重要意義。為此，希望相關單位在仔細研核后提出建設性意見，以提高標準的科學性和嚴謹性。
更多詳情請點擊：《表面化學分析-二次離子質譜-硅中硼的深度剖析方法》
全球化工設備網（http://m.zxgqho79194.cn ）友情提醒，轉載請務必注明來源:全球化工設備網！違者必究.
相關資訊
免責聲明：1、本文系本網編輯轉載或者作者自行發布，本網發布文章的目的在于傳遞更多信息給訪問者，并不代表本網贊同其觀點，同時本網亦不對文章內容的真實性負責。
2、如涉及作品內容、版權和其它問題，請在30日內與本網聯系，我們將在第一時間作出適當處理！有關作品版權事宜請聯系：+86-571-88970062
2、如涉及作品內容、版權和其它問題，請在30日內與本網聯系，我們將在第一時間作出適當處理！有關作品版權事宜請聯系：+86-571-88970062
推薦資訊