日本研發超薄高溫超導電纜
作者： 2013年10月08日 來源： 瀏覽量：
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日前，日本理化學研究所和千葉大學組成的聯合研發小組開發成功絕緣部厚度是目前十分之一的下一代超薄高溫超導電纜，從而使核磁共振（NMR）和磁共振成像（MRI）等裝置的小型化和低成本制造成為可能。
日前，日本理化學研究所和千葉大學組成的聯合研發小組開發成功絕緣部厚度是目前十分之一的下一代超薄高溫超導電纜，從而使核磁共振（NMR）和磁共振成像（MRI）等裝置的小型化和低成本制造成為可能。
聯合小組采用聚酰亞胺電沉積法，在導電線的表面形成極薄的聚酰亞胺絕緣體皮膜。絕緣體的厚度僅為4微米，而目前高溫超導電纜絕緣部分厚度為50微米左右。較厚的絕緣層不僅對電流密度有影響，且使超導線圈體積難以小型化。經測試，新型超薄高溫超導電纜斷面絕緣比例達到10%以下，較現有高溫超導電纜減少80%以上；制成的超導線圈電流密度增加2倍以上，體積可減小4/5左右。其制作工序也較目前采取的聚合體絕緣帶包卷方式更加簡化，可依據需要制作小型超導線圈以及數千米長的高溫超導電纜。
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