三星開發半導體晶圓級單晶石墨烯新工藝
作者： 2014年04月11日 來源： 瀏覽量：
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【摘要】三星電子近日宣布，三星先進技術研究所（SAIT）與韓國成均館大學合作開發出一種新合成方法，可大面積制備應用于半導體的晶圓級單晶石墨烯。
【摘要】三星電子近日宣布，三星先進技術研究所（SAIT）與韓國成均館大學合作開發出一種新合成方法，可大面積制備應用于半導體的晶圓級單晶石墨烯。
三星電子近日宣布，三星先進技術研究所（SAIT）與韓國成均館大學合作開發出一種新合成方法，可大面積制備應用于半導體的晶圓級單晶石墨烯。應用該方法制備的半導體單晶，具有優異的電性能和機械性能。該研究負責人說，“我們預計這一發現將加速石墨烯的商業化，并可能開創消費電子技術的新時代。”
石墨烯具有比硅（現今在半導體中最廣泛使用的材料）高百倍以上的電子遷移率，比鋼更耐用，并具有高的熱傳導性以及靈活性，這使得它成為柔性顯示器、可穿戴設備等下一代電子設備的理想材料。
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